Japan Optoelectronic Transistor Market（日本の光電子トランジスタ市場）調査レポート — 製品タイプ別（フォトトランジスタ、アバランシェフォトトランジスタ、光電子スイッチングトランジスタ）；技術別；アプリケーション別；最終用途産業別ー日本の需要と供給の分析、成長予測、統計レポート 2026ー2035年

Japan Optoelectronic Transistor Market（日本の光電子トランジスタ市場）の成長要因ー

• シリコンフォトニクスの産業化イニシアチブ：シリコンフォトニクスが同じ半導体チップ上に統合されることで得られる利点は、高速コンピュータや通信システムにおける接続問題を軽減することが可能になるため、光電子トランジスタの需要を増加させます。2021年9月に発表されたNEDOスーパーエネルギー効率光電子プロジェクトの報告書によると、シリコンフォトニクス光インターコネクトは、従来のLSIインターコネクトに対して30-40%のエネルギー消費削減が期待され、80°C以上で112 Gbpsの通信速度を提供することが示されています。このような進展は光電子統合に寄与し、日本における光電子トランジスタの需要の増加をもたらします。さらに、経済産業省は日本がフォトニクス技術を使用した半導体システムの熟練度を向上させるよう促しており、これにより技術の進展に対応し、光電子トランジスタの需要が高まる結果となっています。
• 省エネルギー半導体製造義務：日本における省エネルギー半導体製造義務は、多くの分野で低消費電力かつ高性能な光電子システムの使用への移行に伴い、光電子トランジスタの需要を増加させました。この措置により、半導体プロセスにおける加熱によるエネルギー損失が最小限に抑えられました。さらに、この法律は日本のさまざまなチップ製造施設において持続可能な製造慣行を維持するのに役立っています。日本のNEDOグリーンイノベーションファンドプロジェクトによると、次世代データセンター技術は2021年のレベルから最低40%のエネルギー効率向上を目指しており、一方、パワー半導体では50%の変換効率を目指しています。 これらの規制は、低消費電力のフォトニック技術の採用を促進し、日本における光電子トランジスタ市場の成長をもたらしました。

当社のJapan Optoelectronic Transistor Market（日本の光電子トランジスタ市場）調査によると、以下はこの市場の課題です。

• エネルギー集約型のクリーンルームおよびフォトニクス製造要件：さらに、光電子トランジスタの製造にはクリーンルーム条件が必要であり、フォトリソグラフィやレーザーを含むフォトニクス技術を用いた追加の製造プロセスも必要です。これらすべてが、従来の半導体技術よりもウエハーあたりのエネルギー消費の強度を高める要因となっています。これは、NEDOプログラムの下で行われた半導体およびフォトニクス技術の研究開発活動からも見て取れます。現代の技術は確かに高いエネルギー密度を消費する複雑な技術です。これは、日本に所在する企業にとって、製造に関してはエネルギー消費とそれに関連するコストの増加により問題を引き起こします。
• フォトニック半導体デバイスの長期的な認証および信頼性検証サイクル：光電子トランジスタのテストと認証は、これらのデバイスが通信ネットワーク、自動車システム、産業用電子機器など、高い信頼性が求められる分野で使用されるため、長期間を要します。METIの規則に基づく試験と認証は、半導体が複数の評価段階を通過する必要性を強調しており、特に光信号の処理に関わるデバイスの場合は、通常の電子トランジスタと比べて期間が延びることになります。