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レポート: 603 | 公開日: January, 2026

日本のRFフロントエンド集積回路市場調査レポート:コンポーネント別(パワーアンプ、RFスイッチ、RFフィルタ、低雑音アンプ、統合フロントエンドモジュール);技術別; 周波数帯域別; 最終用途アプリケーション別; - 日本の需要と供給の分析、成長予測、統計レポート 2026ー2035年

当社の信頼できる顧客


日本のRFフロントエンド集積回路市場調査、規模、傾向のハイライト(予測2026ー2035年)

日本のRFフロントエンド集積回路市場規模は、2025年には34億米ドルを超え、2035年末には68億米ドルに達すると推定されています。2026―2035年の予測期間中は、年平均成長率(CAGR) 7.8%で拡大します。2026年には、日本のRFフロントエンド集積回路市場の業界規模は36億米ドルに達すると予測されています。

日本のRFフロントエンド集積回路市場は、予測期間にわたって上昇傾向で成長すると見込まれており、その主な推進力は、世界的な競争に対抗して国内サプライチェーンを強化するための政府による半導体産業への投資と戦略的政策です。たとえば、ラピダス株式会社は、最先端の半導体施設を建設するために日本の経済産業省(METI)から直接財政支援を受け、独自のチップ製造、独自の技術開発、戦略的に重要な集積回路セグメントの供給確保を可能にしました。さらに、日本の半導体・デジタル産業戦略に基づき、経済産業省(METI)は数十の半導体供給確保計画を認定し、これまでに承認された支援の下で、生産施設の開発と先端半導体の供給確保に対して多額の補助金を交付してきました。この財政支援は、RF ICメーカーによる投資リスクを直接的に高め、半導体バリューチェーンを支える能力の拡大を引き起こします。さらに、政府の研究政策体系に明記されているように、次世代無線技術と高周波技術の研究開発に重点が置かれています。総務省(MIC)と情報通信研究機構(NICT)を含む関連省庁は、ポスト5Gや100GHzを超えるRFデバイス技術を含む高周波通信研究に特定の資金源を設けており、これらは先進的なRFフロントエンドICの設計と展開の直接的な基盤となります。さらに、半導体製造業の復興に向けた政府と産業界のパートナーシップは、巨額の政府補助金を受けている企業が国内にハイテク半導体製造施設を設立することを支援するプロジェクトの形で行われています。例えば、ソニーセミコンダクタ、デンソー、トヨタとのTSMC合弁会社であるジャパン・アドバンスト・セミコンダクタ・マニュファクチャリング(JASM)は、経済産業省を通じて政府補助金を受けた約4,760億円規模の半導体製造施設であり、日本の半導体生産能力とサプライチェーンの安全性を強化しました。これらのプログラムは、RF IC部品供給における技術環境を強化し、半導体イノベーションを拡大しています。

サプライチェーンの観点から見ると、日本のRFフロントエンド集積回路市場のサプライチェーンは、シリコンウェーハや特殊基板などの重要な原材料の輸出入、国内の製造能力、組立インフラ、先進的な半導体装置の利用可能性に依存しています。日本は2023年に334,269.28千米ドル相当の電子集積回路とマイクロアセンブリを輸入し、その大部分は中国と米国からのそれぞれ89,379.29千米ドルと89,043.60千米ドルの日本への輸入でした。一方、輸出は2,456千米ドルと215.28千米ドルで、主な輸出先はマレーシアと794,102.74千米ドル、その他のアジア578,093.10千米ドルでした。これらの健全な貿易の動きは、国内のサプライチェーンと製造能力に貢献し、日本のRFフロントエンド集積回路の成長を促進しています。さらに、2018年11月(2015年=100)の日本の集積回路(IC)の生産者物価指数は95.9、電子部品・デバイスの生産者物価指数は113.1となり、生産コストの上昇を示しており、日本のRFフロントエンド集積回路業界の成長に貢献しています。


日本のRFフロントエンド集積回路市場 – 地域分析

基準年

2025年

予測年

2026-2035年

CAGR

7.8%

基準年市場規模(2025年)

34億米ドル

予測年市場規模(2026年)

36億米ドル

予測年市場規模(2035年)

68億米ドル

地域範囲

  • 東京
  • 横浜
  • 大阪
  • 名古屋
  • 札幌
  • 福岡
  • 川崎
  • 神戸
  • 京都
  • 埼玉

日本のRFフロントエンド集積回路市場 – 地域分析

日本のRFフロントエンド集積回路産業:地域的範囲

日本のRFフロントエンドIC市場は、日本の国家産業・経済安全保障政策において高い優先度が与えられている半導体エコシステムの中核サブセクターの一つであるため、日本経済と産業構造にとって戦略的に重要です。経済安全保障促進法では、半導体は、半導体や直接材料などの戦略物資の安定供給を確保するための経済安全保障およびサプライチェーンの安定に不可欠な材料として分類されています。これは、日本の経済競争力と経済力におけるこの産業の役割を強調しています。

RFフロントエンドICの需要によって推進されている主要な最終市場は、自動車、民生用電子機器、通信、IoT、産業オートメーションであり、いずれも高周波接続と高度な信号処理を採用しています。例えば、自動車システムは5G、V2X(車車間通信)、ADAS機能との統合がますます進んでおり、これらすべてがRF ICの性能に依存しています。これに伴い、5Gスマートフォン、タブレット、スマートウェアラブルなどの民生用製品には、サブ6GHzまでの低周波から高周波までに対応する強力なRFフロントエンド部品が求められています。フロントエンドICの多様化は、日本のデジタル経済およびコネクテッドエコノミーの発展において、これらのICを極めて重要な位置付けにしています。

Renesas Electronics、ROHM、Sony Semiconductor Solutions、Mitsubishi Electric、Fuji Electricは、アナログ/RF統合、電力効率、高周波性能の分野で革新をもたらしているこの市場の主要企業です。ルネサスは、高性能RFフロントエンドデバイス、マクロ基地局や次世代無線システムに使用されるクアッドチャネル送信VGAやデュアルチャネル低雑音増幅器(LNA)などの無線インフラ製品によってRFポートフォリオを拡充するなど、RF統合と性能最適化における革新の最前線に立ってきました。これらの企業の中には、国内の半導体生産能力を高める国家プロジェクトや合弁事業に携わっている企業もあります。例えば、経済産業省の戦略に基づき、政府認定の半導体生産支援計画により、企業は補助金や投資優遇措置を受けることができます。政府の政策は、産業の安定化と成長を強く後押ししています。経済産業省の半導体・デジタル産業戦略は、国内生産、サプライチェーン、技術リーダーシップの強化を通じて、2030年までに半導体関連事業の売上高を15兆円以上に拡大することを目指しています。

主要なファブ工場、研究開発施設、本社は、RFフロントエンドICやその他の関連半導体の開発における主要都市である東京、名古屋、大阪、広島に集中しています。東京は日本の市場をリードしており、主要な半導体企業や通信企業の本社や研究開発センターが東京に所在しています。東京に本社を置くルネサス エレクトロニクスは、自動車、民生、5Gデバイスアプリケーションに不可欠なアナログおよびRF ICの開発企業です。同様に、東京に拠点を置くMitsubishi Electricは、高周波無線システム向けのGaNおよびRFモジュールの開発に取り組んでいます。これらの企業は、高周波性能、電力効率、そして統合フロントエンド設計における革新をもたらしています。東京にとってもう一つの有利な点は、経済産業省とNEDOによる充実した政府支援の存在です。これらの支援は、半導体研究、生産能力の構築、そしてサプライチェーンと技術の優位性を確保するための現地生産に資金を提供しています。例えば、経済産業省とNEDOの資金提供を受けている東京都千代田区の最先端半導体技術センター(LSTC)は、国内のRFフロントエンド集積回路の製造能力と技術の向上を目指し、国内における半導体研究開発を牽引する機関です。これらすべての側面が、東京を日本のRFフロントエンド集積回路市場のハブとして位置づけ、国内外のイノベーション、生産能力、そして技術リーダーシップの促進に貢献しています。

市場は国際関係の影響も受けます。日本は、半導体生産におけるサプライチェーン、リスク分散、技術・人材の共有を強化するため、インドなどとの二国間半導体協議や関係構築に取り組んでいます。例えば、経済産業省は、5G、Beyond-5G/6G、先端半導体研究の分野での連携を進める日EUデジタルパートナーシップを主導しています。6G MIRAI-HARMONYなどの共同の取り組みは、高周波デバイスセクションの開発を促進し、研究アプローチの共有や国際技術交流を通じてRFフロントエンド集積回路の開発を直接的に強化しています。市場動向は現在、次世代ワイヤレスの展開、自動車の電動化、IoT接続、公共政策のサポートにより、高い成長を示しており、将来予測では、グローバルな技術エコシステムにおけるさらなる高成長と戦略的重要性が示されています。

このレポートの詳細については。
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日本のRFフロントエンド集積回路市場概要

サンプル納品物ショーケース

Sample deliverables

過去のデータに基づく予測

会社の収益シェアモデル

地域市場分析

市場傾向分析

市場傾向分析

Sample deliverables
重要な地理的市場に関する分析を取得します。

主要エンドユーザー企業(消費別)

  • NTT Docomo, Inc.
    • 消費単位(量)
    • RFフロントエンド集積回路調達に割り当てられた収益の割合
    • RFフロントエンド集積回路への支出 - 米ドル価値
    • 国内消費 vs 輸出、金額別・数量別
    • 主要製造拠点 分析
      • グローバルな拠点、ユニットの面積、製造能力、稼働率
  • KDDI Corporation
    • 消費単位(量)
    • RFフロントエンド集積回路調達に割り当てられた収益の割合
    • RFフロントエンド集積回路への支出 - 米ドル価値
    • 国内消費 vs 輸出、金額別・数量別
    • 主要製造拠点 分析
      • グローバルな拠点、ユニットの面積、製造能力、稼働率
  • SoftBank Corp.
    • 消費単位(量)
    • RFフロントエンド集積回路調達に割り当てられた収益の割合
    • RFフロントエンド集積回路への支出 - 米ドル価値
    • 国内消費 vs 輸出、金額別・数量別
    • 主要製造拠点 分析
      • グローバルな拠点、ユニットの面積、製造能力、稼働率
  • Rakuten Mobile, Inc.
    • 消費単位(量)
    • RFフロントエンド集積回路調達に割り当てられた収益の割合
    • RFフロントエンド集積回路への支出 - 米ドル価値
    • 国内消費 vs 輸出、金額別・数量別
    • 主要製造拠点 分析
      • グローバルな拠点、ユニットの面積、製造能力、稼働率
  • DENSO TEN Limited
    • 消費単位(量)
    • RFフロントエンド集積回路調達に割り当てられた収益の割合
    • RFフロントエンド集積回路への支出 - 米ドル価値
    • 国内消費 vs 輸出、金額別・数量別
    • 主要製造拠点 分析
      • グローバルな拠点、ユニットの面積、製造能力、稼働率

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日本のRFフロントエンド集積回路市場:成長要因と課題

日本のRFフロントエンド集積回路市場の成長要因ー

  • 5G/6Gおよび無線アプリケーションの拡大:5Gネットワ​​ークの展開が急速に進み、6G技術の準備も進められていることから、日本ではRFフロントエンド集積回路(RFIC)が急速に普及しています。例えば、2024年4月には、NTTドコモ、NTT、NEC、富士通が共同で、Beyond 5G/6Gシステム実現に向け、100GHz帯および300GHz帯で100Gbpsの超高速伝送を可能にするサブテラヘルツ無線デバイスの開発を発表しました。この提携は、将来のネットワークにおける高周波通信を支援するRFフロントエンド集積回路のイノベーションを明確化し、高度なRF ICコンポーネントに対する市場需要を促進するものです。

さらに、RF ICは、スマートフォン、基地局、IoTデバイスにおける接続性向上のニーズに加え、高周波動作と広帯域スペクトルカバレッジの実現によって直接的に牽引されています。モバイルブロードバンドと無線対応産業用アプリケーションの成長には、最先端のRFフロントエンドモジュールが必要であり、次世代通信インフラにおいて不可欠な要素となっています。日本貿易振興機構(JETRO)によると、日本は世界市場での競争力確保のため、5Gインフラの展開と先進的な無線システムへの投資を進めています。これは、政府資金による国内半導体・ICメーカーの成長であり、高性能RFフロントエンド部品の需要が高まっている状況を生み出しています。

  • 分野横断的なデジタル成長:分野横断的な成長 自動車、産業オートメーション、ロボット工学、AIのデジタル化は、日本におけるRFフロントエンドICの需要拡大を促しています。自動運転車、ネットワーク化された製造業、IoTデバイスは高周波通信を必要としており、RF IC開発における要求はますます厳しくなっています。次世代通信・制御システムのビジネスへの導入に伴い、高性能かつ低遅延を実現するRFモジュールは、市場の成長に不可欠な要素となっています。例えば、 Panasonic、SKY Perfect JSAT、NTT Docomo、NICTは、2024年5月に38GHz帯を用いたエアプラットフォームによる5G通信の実証実験を行う予定です。この実験では、高性能で低遅延なRFフロントエンドモジュールが求められ、日本における高性能RF ICの需要が高まっています。経済産業省によると、日本の産業デジタル化政策は、AI、ロボット工学、車載エレクトロニクス分野における半導体の活用を促進しています。これらの政策は、RFフロントエンドICの国内市場の成長を牽引し、半導体業界のサプライチェーンの成長と技術開発を促進しています。

当社の日本のRFフロントエンド集積回路市場調査によると、以下はこの市場の課題です。

  • 高製造コストと材料コスト:日本のRFフロントエンドICメーカーが直面する最も重要な課題の一つは、材料費の高騰と高度な製造技術です。RF ICは、窒化ガリウム(GaN)などの特殊な基板と高性能材料を使用しており、これらは高価で価格変動の影響を受けやすいという問題があります。これらの費用は、国内の高い品質・信頼性要件と相まって、特に中小企業の生産コストを押し上げます。投入価格の高騰は価格柔軟性を制限し、利益率を低下させ、低コストの国際メーカーとの競争におけるサプライヤーの能力を低下させます。その結果、メーカーは財政的逼迫から生産規模の拡大や新規設備の開発を延期する可能性があり、市場の成長が鈍化し、サプライチェーン全体の機能と対応力に悪影響を及ぼします。
  • 熾烈な国際競争:日本のRFフロントエンドICメーカーは、特に韓国、台湾、中国との熾烈な国際競争に直面しています。これらの国は製造コストの低さと新技術の導入が価格設定上の課題となっています。競争力を維持するために、国内企業は高度な研究開発、製造技術、高周波統合プラットフォームへの継続的な投資が必要であり、設備投資の面でコストがかさむ可能性があります。このような競争環境は、日本の中小サプライヤーの市場シェアを縮小させ、収益性を圧迫するだけでなく、グローバルサプライチェーンにおける国産部品の採用を阻害する可能性があります。急速な技術革新に伴う負担とコストにより、メーカーが効率的なレベルまで生産を拡大する可能性が制限され、日本市場の成長が鈍化する恐れがあります。

この市場の主要な成長要因のいくつかを理解します。

日本のRFフロントエンド集積回路市場のセグメンテーション

周波数帯域別(サブ6GHz、ミリ波)

サブ6GHz帯は、2035年までに日本市場において最大の売上高シェア(59.6%)を占めると予想されています。これは、広範囲のカバレッジと高速データレートをサポートする5Gネットワ​​ークの大規模利用を可能にする能力と、それに伴うサブ6GHz帯で動作するRFフロントエンドICの必要性に起因しています。例えば、NTTドコモは2024年7月に、5Gスタンドアロンサービスにおいてサブ6GHz帯(3.7GHzと4.5GHz)の利用を拡大する計画です。これにより、最大6.6Gbpsの高速接続も提供可能となり、日本において高度なRFフロントエンドICの需要が創出されます。さらに、日本の総務省によると、2023年度末までにSub-6(6GHz未満)帯の5G基地局は全国展開の約91%を占めると予想されており、これは導入済みインフラ全体における大きな割合を占めています。この大規模な展開は、信頼性が高く広範囲に及ぶ5GサービスとしてSub-6帯への政府の政策と通信事業者の関心の高まりによるもので、これらの帯域で利用可能なデバイスやネットワークハードウェアにおけるRFフロントエンドICの採用を直接的に促進しています。こうした周波数帯で動作するRF ICは、加入者との5G契約が拡大し続け、他の通信事業者もSub-6サービスの展開を拡大するにつれて、高い収益に貢献し続けるでしょう。

最終用途アプリケーション別(スマートフォンおよびコンシューマーエレクトロニクス、自動車コネクティビティおよびADAS、IoTおよびウェアラブル、無線インフラおよび基地局)

スマートフォンおよびコンシューマーエレクトロニクス分野は、5G接続を確保するために高度なRFフロントエンドコンポーネントを必要とするデバイスの需要を支えているため、2026年から2035年の予測期間中に46.3%という大きな市場シェアで成長すると予想されています。例えば、ソフトバンク株式会社は2020年11月20日、2020年3月の5Gサービス商用開始以降、5Gスマートフォンの加入者数が増加しており、高度なRFフロントエンド集積回路を含む5G対応デバイスに対する消費者需要が高まっていると発表しました。さらに、総務省が発表した公式通信データによると、2021年時点で日本における5G契約数は1億1,570万件を超え、4G契約数を上回っています。これは、消費者が5G対応スマートフォンや関連デバイスを広く利用していることを示しています。通信事業者が顧客を5Gに誘導し、事業者がSub-6インフラを構築する中、スマートフォンメーカーは、信号性能とネットワーク互換性を向上させるため、高度なRFフロントエンドICの搭載をますます開始しています。この技術は、スマート通信、タブレット、そして関連するコネクテッド家電製品に広く普及する必要があり、日本の電子機器エコシステムにおける高性能RFフロントエンドICの長期的な需要を促進し、予測期間を通じて市場の長期的な成長を支えるでしょう。

当社の日本のRFフロントエンド集積回路市場の詳細な分析には、以下のセグメントが含まれます。

セグメント

サブセグメント

コンポーネント別

  • パワーアンプ
    • GaAs PA
      • 高出力GaAs PA
      • 中出力GaAs PA
      • 低出力GaAs PA
    • GaN PA
      • ハイパワーGaN PA
      • 中出力GaN PA
      • 低電力GaN PA
    • CMOS PA
      • 高出力CMOS PA
      • 中出力CMOS PA
      • 低出力CMOS PA
  • RFスイッチ
    • アンテナスイッチ
      • SPDT
      • SP3T
      • SP4T
    • 送受信機スイッチ
      • シングルバンド送受信機
      • マルチバンド送受信機
  • RFフィルタ
    • SAWフィルタ
      • シングルバンドSAW
      • マルチバンドSAW
    • BAWフィルター
      • FBAR BAW
      • SMR BAW
  • 低雑音増幅器 (LNA)
    • ディスクリートLNA
      • 低周波LNA
      • 高周波LNA
    • 統合型LNA
      • シングルバンド統合型LNA
      • マルチバンド統合型LNA
  • 統合フロントエンドモジュール (FEM)
    • フロントエンドモジュール (FEM)
      • シングルバンドFEM
      • マルチバンドFEM
    • パワーアンプモジュールインダイ (PAMiD)
      • シングルバンドPAMiD
      • マルチバンドPAMiD

技術別

  • CMOS
    • デジタルCMOS
    • RF CMOS
    • ミックスドシグナルCMOS
  • GaAs
    • HBT GaAs
    • MESFET GaAs
  • GaN
    • HEMT GaN
    • MMIC GaN
  • SiGe
    • BiCMOS SiGe
    • SiGe HBT

周波数帯域別

  • 6GHz未満
    • 1~3GHz
    • 3~6GHz
  • ミリ波
    • 24~40GHz
    • 60~100GHz

最終用途アプリケーション別

  • スマートフォンとコンシューマーエレクトロニクス
    • スマートフォン
    • タブレット
    • ウェアラブル
  • 自動車コネクティビティとADAS
    • 車車間通信(V2V)
    • 路車間通信(V2I)
    • レーダーおよびセンサーシステム
  • IoTとウェアラブル
    • スマートホームデバイス
    • 産業用IoT
    • ヘルスケア用ウェアラブル
  • 無線インフラと基地局
    • 5G基地局
    • スモールセル
    • マクロセル

日本のRFフロントエンド集積回路市場を席巻する企業:

日本のRFフロントエンド集積回路市場は、国内の半導体大手企業と部品イノベーター企業の融合により、競争が激しく、半統合型となっています。Murata Manufacturing、Renesas、TDK、ROHMといった大手サプライヤーは、RF材料、フィルター技術、集積回路における高度な経験を活かし、ソシオネクストやセイコーインスツルメンツといった中堅企業は、ニッチなRF部品やシステムオンチップを提供しています。さらに、研究開発への多額の投資、先端材料の使用、そして非常に厳しい性能評価といった参入障壁により、市場は中程度に細分化されています。しかし、競争は激しく、企業は差別化を図っています。重要な戦略は、技術統合、5Gアプリケーションに向けた小型化、特許および知的財産の拡大、そして市場投入期間の短縮とグローバル展開の多様化のための戦略的提携です。

日本の主要RFフロントエンド集積回路メーカー

  • Murata Manufacturing Co., Ltd. (Kyoto)
  • TDK Corporation (Tokyo)
  • Taiyo Yuden Co., Ltd. (Tokyo)
  • Renesas Electronics Corporation (Ibaraki)
  • ROHM Co., Ltd. (Kyoto)
  • Mitsubishi Electric Corporation (Tokyo)
  • Sony Semiconductor Solutions Corporation (Tokyo)
  • Seiko Instruments Inc. (Chiba)
  • Socionext Inc. (Yokohama)
  • New Japan Radio Co., Ltd. (Tokyo)

日本のRFフロントエンド集積回路市場における各社の事業領域は以下の通りです。

  • 会社概要
  • 事業戦略
  • 主要製品ラインナップ
  • 財務実績
  • 主要業績指標(KPI)
  • リスク分析
  • 直近の動向
  • 地域展開
  • SWOT分析

ニュースで

  • 2025年12月、Renesas Electronics Corporationは、RFフロントエンド、ベースバンド、そしてプロセッサを1つのデバイスに統合した、Wi-Fi 6とWi-Fi/Bluetooth Low Energyコンボベースのマイクロコントローラを初めて発表しました。この発表は、IoTデバイス、スマートインフラ、そして産業オートメーションにおけるワイヤレス接続の統合ソリューションに対する日本におけるニーズの高まりを示しています。ルネサスは、部品点数の削減、消費電力の削減、そして信号性能の向上を実現するマイクロコントローラへのRFフロントエンド実装を提供しています。これらは、日本市場におけるRFフロントエンド集積回路セグメントの成長を促進する課題の一つです。この製品の導入は、日本における無線規格の普及拡大と軌を一にしており、小型でエネルギー効率の高い機器の迅速な商用化を促進します。ルネサスの進歩は、日本における高度なRF対応半導体の統合を強化し、高度に統合されたRFフロントエンドアーキテクチャの市場開発プロセスを加速させます。
  • 2025年12月、Murata manufacture Co, Ltd. は世界初の15nF/1.25kV COG積層セラミックコンデンサ(MLCC)を発売しました。これは高周波電子部品の技術革新です。この新しいMLCCは、優れた耐電圧性と温度安定性を備え、誘電損失が低いため、高周波信号パスで極めて優れた能力を発揮します。このイノベーションは、スマートフォン、基地局、車載通信システムのRFフロントエンドモジュールの性能、信頼性、小型化を向上させることで、日本のRFフロントエンド集積回路市場を支援します。村田製作所のコンデンサイノベーションは、小型で高性能なフロントエンドアーキテクチャを必要とする日本のRFエコシステムの需要の高まりに直面して、国内サプライチェーンの強化と高度なRFフロントエンド回路設計の採用の進展を可能にします。

目次

目次

レポートで回答された主な質問

質問: 日本のRFフロントエンド集積回路市場はどのくらいの規模ですか?

回答: 日本のRFフロントエンド集積回路市場規模は2025年に34億米ドルに達しました。

質問: 日本のRFフロントエンド集積回路市場の見通しは何ですか?

回答: 日本のRFフロントエンド集積回路市場規模は2025年に34億米ドルで、2026年から2035年の予測期間にわたって年平均成長率7.8%で拡大し、2035年末には68億米ドルに達する見込みです。

質問: 日本のRFフロントエンド集積回路市場を支配している主要プレーヤーはどれですか?

回答: 日本では、Murata Manufacturing Co., Ltd.、TDK Corporation、 Taiyo Yuden Co., Ltd.、Renesas Electronics Corporation、ROHM Co., Ltd.などが有力企業です。

質問: 2035年までに日本のRFフロントエンド集積回路市場を牽引すると予想されるどんなセグメントですか?

回答: 予測期間中、サブ6GHz周波数帯域セグメントが主要なシェアを占めると予想されます。

質問: 日本のRFフロントエンド集積回路市場の最新動向・進歩は何ですか?

回答: Renesas Electronics Corporationは、RFフロントエンド、ベースバンド、そして処理機能を1つのソリューションに統合した、同社初となるWi-Fi 6およびWi-Fi/Bluetooth Low Energyコンボマイコンの発売を発表しました。この発売は、IoTデバイス、スマートインフラ、産業オートメーションなど、高度に統合された無線接続ソリューションに対する日本における需要の高まりを反映しています。RFフロントエンド機能をマイコンに組み込むことで、ルネサスは部品点数の削減、消費電力の低減、そして信号性能の向上を実現します。

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