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磁気抵抗ラム市場調査:テクノロジー別セグメンテーション(トグルおよびスピントランスファートルク);製品別(ディスクリートおよび組み込み)およびアプリケーション別(コンシューマエレクトロニクス、航空宇宙および防衛、ロボット工学、エンタープライズストレージ、自動車など)–グローバルな需要分析および機会の見通し2028年

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レポート: 2622 | 公開日: June, 2023

磁気抵抗ラム市場調査、規模、傾向のハイライト(予測2020-2028年)

磁気抵抗ラム(MRAM)の概要

磁気抵抗ラム(MRAM)は、ダイナミックRAMによって使用される情報を格納するために電子スピンを使用するデータビットを格納するプロセスです。これは、ダイナミックRAMとスタティックRAMの両方の利点の融合の結果です。磁気抵抗ラム(MRAM)は、従来のメモリデバイスと比較して高性能であり、はるかに高速で消費電力が少なく、データ損失を防ぐことができます。磁気抵抗ラム(MRAM)技術は、極端な温度範囲にわたって堅牢で信頼性が高いため、電子製品が高速アクセス速度を確保し、バッテリ電力を消費するのを防ぎながら、膨大な量のデータを保存するのを支援するために使用されます。

市場規模と予測

デジタル化の採用の増加と、モノのインターネット(IoT)やクラウドコンピューティングなどの技術進歩、電子製品の需要の高まりは、市場の成長を後押しする重要な要素の一部です。 2016年の米国国勢調査局によると、76%の世帯がスマートフォンを持ち、77%の世帯がデスクトップまたはラップトップコンピュータを使用していました。

磁気抵抗ラム(MRAM)市場は、予測期間、すなわち2020-2028年に大幅なCAGRを記録すると予想されています。市場は、アプリケーションによって、家電航空宇宙および防衛ロボット企業ストレージ自動車などにセグメント化されています。これらのセグメントの中で、スマートフォン、ラップトップ、電子ウェアラブル、デジタルカメラの採用が進み、高度なメモリデバイスを利用して低エネルギー消費を確保し、起動時間を短縮した結果、家電用セグメントは磁気抵抗ラム(MRAM)市場で最も高い速度で成長すると予想されています。


地域別

地域分析に基づいて、磁気抵抗ラム(MRAM)市場は、北米ヨーロッパ、アジア太平洋ラテンアメリカ、中東およびアフリカ地域を含む5つの主要地域に分かれています。

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サンプル納品物ショーケース

Sample deliverables

調査競合他社と業界リーダー

過去のデータに基づく予測

会社の収益シェアモデル

地域市場分析

市場傾向分析

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北米の磁気抵抗ラム(MRAM)の市場は、磁気抵抗ラム(MRAM)を製造および販売するこの地域の主要な市場プレーヤーの存在により、市場で最大のシェアを保持すると予想されます。さらに、企業は、技術インフラストラクチャのコストを削減し、より高速な計算、より少ない消費電力、および製品需要をさらに増加させる優れたスケーラビリティを達成するために、データセンターに移行しています。アジア太平洋地域の市場は、データセンターと情報技術ハブのインフラストラクチャの進歩の結果として、予測期間中に最も高い速度で成長すると予測されています。さらに、インターネットの使用の増加とクラウドコンピューティングの普及、および原材料の十分な入手可能性と安価な労働力による中国やインドなどの国々の多数のメモリメーカーは、磁気抵抗ラム(MRAM)市場の需要をさらに高めています。

市場セグメンテーション

磁気抵抗ラム(MRAM)市場の詳細な分析には、次のセグメントが含まれます。

技術別

  • トグル
  • スピン伝達トルク

製品別

  • 離散的
  • 埋め込み

アプリケーション別

  • 家電
  • 航空宇宙・防衛
  • ロボティックス
  • エンタープライズ・ストレージ
  • 自動車
  • 余人

磁気抵抗ラム(MRAM)市場は、地域に基づいて次のようにさらに分類されます。

  • 北米(米国とカナダ)市場規模前年比成長率と機会分析
  • ラテンアメリカ (ブラジル、メキシコ、アルゼンチン、その他のラテンアメリカ)市場規模前年比成長と機会分析
  • 欧州 (イギリス ドイツ フランス イタリア スペイン ハンガリー ベルギー オランダ・ルクセンブルク 北欧 ポーランド トルコ ロシア その他のヨーロッパ)市場規模前年比成長率と機会分析
  • アジア太平洋地域(中国、インド、日本、韓国、インドネシア、マレーシア、オーストラリア、ニュージーランド、その他のアジア太平洋地域)市場規模の前年比成長と機会分析。
  • 中東/アフリカ( イスラエルGCC(サウジアラビア、アラブ首長国連邦、バーレーン、クウェート、カタール、オマーン)、北アフリカ、南アフリカ、その他の中東・アフリカ)の市場規模、前年比成長率、機会分析。


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成長の原動力

代替メモリ製品に取って代わり、市場の成長を後押しする可能性

組み込みおよびディスクリートMRAMなどの革新的な読み取りアクセスメモリ製品を開発するための研究活動の増加は、市場の成長を促進します。さらに、磁気抵抗ラム(MRAM)は、フラッシュメモリやその他の電気的に消去可能なプログラマブル読み取り専用メモリ(EEPROM)を置き換える可能性を秘めています。これにより、磁気抵抗ラム(MRAM)市場が大幅に拡大することが期待されます。

市場の成長を牽引する電子機器および航空宇宙産業における需要の高まり

電子航空宇宙防衛および軍事システムにおける低コストの小型小型電力効率の高いMRAMに対する需要は、極端な温度の改ざん耐性およびより高速なコンピューティングにおける高放射動作に対する耐久性などの有利な物理的特性のために高まっている。さらに、エンタープライズストレージソリューションへの適用により、システム全体のダウンタイムが短縮され、市場の成長にさらに拍車がかかります。これらを背景に、世界の磁気抵抗RAM(MRAM)市場は予測期間中に成長すると予測されています。

拘束

市場の成長を妨げる高コストと複雑なインターフェース

技術の進歩にもかかわらず、市場の成長に悪影響を及ぼす設計と製造には高いコストがかかります。さらにメモリに関連する界面の問題は、将来の磁気抵抗ラム(MRAM)市場の成長を妨げると推定されている。

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ニュースで

  • 2016年9月:スピンメモリ社(STT)は、垂直MRAM磁気トンネル接合([MTJ]はMRAMメモリセルの主要コンポーネントであり、MRAMデバイスのコア技術である)を20nm と小型で製造したと発表した。

市場を支配するトップ注目企業

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  • Spin Memory Inc.
    • 会社概要
    • 事業戦略
    • 主な製品
    • 財務実績
    • 主要業績評価指標
    • リスク分析
    • 最近の開発
    • 地域的なプレゼンス
    • スワット分析 
  • Intel Corporation
  • Hewlett Packard Enterprise Development LP
  • Everspin Technologies Inc.
  • Qualcomm Technologies Inc.
  • Avalanche Technology
  • Honeywell International Inc.
  •  NVE Corporation
  • Toshiba Corporation
  • Crocus Nano Electronics LLC
  • Infineon Technologies AG